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    銦镓砷探測器DInGaAs係列

    • 產品型號：DInGaAs係列
    • 產品時間：2024-05-20
    • 簡要描述：常溫型銦镓砷探測器（InGaAs）
      ——室溫型近紅外探測器，使用範圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
      ● DInGaAs1600型內裝國產小麵積InGaAs元件；
      ● DInGaAs1650型內裝國產大麵積InGaAs元件；
    • 產品介紹

    常溫型銦镓砷探測器（InGaAs）

    ——室溫型近紅外探測器，使用範圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
    ● DInGaAs1600型內裝國產小麵積InGaAs元件；
    ● DInGaAs1650型內裝國產大麵積InGaAs元件；
    ● DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件；
    ● DInGaAs1700型內裝進口大麵積InGaAs元件；
    ● DInGaAs2600型內裝進口InGaAs元件
     
    型號列表及主要技術指標：
    型號/參數
    DInGaAs1600
    DInGaAs1650
    DInGaAs1700-R03M
    DInGaAs1700
    DInGaAs2600
    光敏麵直徑（mm）
    1.5
    5
    3
    5
    3
    波長範圍（nm）
    900-1600
    900-1650
    800-1700
    800-1700
    800-2600
    峰值響應度（A/W,  小）
    0.85
    0.85
    0.9
    0.95
    1.1
    暗電流（nA,  大）
    0.1
    200
    100
    10μA
    1mA
    D*（典型值）
    -
    -
    2.3×1012
    9.6×1011
    4.1×1010
    NEP（典型值）
    -
    -
    1.2×10-13
    2.8×10-13
    6.5×10-12
    阻抗（MΩ）
    30
    1
    1.5
    50kΩ
    320Ω
    電容（pF）
    80
    1500
    800
    -
    9000
    響應時間（ns）
    8
    160
    100
    300
    1μs
    信號輸出模式
    電流
    電流
    電流
    電流
    電流
    輸出信號性
    正（P）
    正（P）
    正（P）
    正（P）
     

    ■ TE製冷型銦镓砷探測器（InGaAs）
    ——TE製冷型近紅外探測器，波長範圍：0.8-2.6μm
           TE製冷型銦镓砷探測器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE製冷銦镓砷探測元件，在线看片网站污污響應曲線參考圖如下：
    型號列表及主要技術指標：
     
     型號/參數
    DInGaAs1700-TE
    DInGaAs1900-TE
    DInGaAs2200-TE
    DInGaAs2400-TE
    DInGaAs2600-TE
    光敏麵直徑（mm）
    3
    3
    3
    3
    3
    波長範圍（nm）
    800-1700
    800-1900
    800-2200
    800-2400
    800-2600
    峰值響應度（A/W）
    0.9
    1
    1.1
    1.15
    1.2
    D*（典型值）
    8.4×1013
    9.1×1012
    1.9×1012
    9.6×1011
    4.9×1011
    NEP（典型值）
    3.2×10-15
    2.9×10-14
    1.4×10-13
    2.8×10-13
    5.5×10-13
    溫控器型號
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    探測器溫度（℃）
    -40
    -40
    -40
    -40
    -40
    溫度穩定度（℃）
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    環境溫度（℃）
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    信號輸出模式
    電流
    電流
    電流
    電流
    電流
    輸出信號性
    正（P）
    正（P）
    正（P）
    正（P）
    正（P）
    備注
    製冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）
    推薦使用前置放大器型號：ZPA-7
    銦镓砷探測器使用建議：
    ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZPA-7（Page85）做為前級放大並轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
    ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器配合DCS103數據采集係統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
    ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器配合DCS300PA數據采集係統（Page95）使用時，由於DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
    ● 製冷型DInGaAs-TE係列銦镓砷探測，在製冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控製；
     

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